NTLUS3C18PZTBG
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| Numero parte | NTLUS3C18PZTBG |
| PNEDA Part # | NTLUS3C18PZTBG |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.960 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTLUS3C18PZTBG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTLUS3C18PZTBG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTLUS3C18PZTBG, NTLUS3C18PZTBG Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 145,26 KB)
  
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NTLUS3C18PZTBG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.8nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 660mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Pacchetto / Custodia | 6-PowerUFDFN |
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