NTJS4160NT1G
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| Numero parte | NTJS4160NT1G |
| PNEDA Part # | NTJS4160NT1G |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 |
| Prezzo unitario |
|
| Disponibile | 3.330 |
| Magazzini | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| Pagamento |  |
| Spedizione |  |
| Consegna stimata | ago 4 - ago 9 (Scegli Spedizione rapida) |
| Garanzia | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
NTJS4160NT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| Mfr. Numero di parte | NTJS4160NT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTJS4160NT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 2.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.75nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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