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NTJD4001NT2G

NTJD4001NT2G

Solo per riferimento

Numero parte NTJD4001NT2G
PNEDA Part # NTJD4001NT2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.114
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD4001NT2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD4001NT2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD4001NT2G, NTJD4001NT2G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 192,28 KB)
PDFNTJD4001NT2G Datasheet Copertura
NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 2 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 3 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 4 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 5 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 6 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 7

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NTJD4001NT2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Potenza - Max272mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDMC8200S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Potenza - Max

700mW, 1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-Power33 (3x3)

DI9956T

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

DMG6602SVTX-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V, 9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V, 420pF @ 15V

Potenza - Max

840mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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