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NTHS5445T1

NTHS5445T1

Solo per riferimento

Numero parte NTHS5445T1
PNEDA Part # NTHS5445T1
Descrizione MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.742
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHS5445T1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHS5445T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTHS5445T1, NTHS5445T1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 200,51 KB)
PDFNTHS5445T1 Datasheet Copertura
NTHS5445T1 Datasheet Pagina 2 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 3 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 4 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 5 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 6 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 7 NTHS5445T1 Datasheet Pagina 8

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NTHS5445T1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

370mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2297pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXTX8N150L

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 4A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 15V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPP037N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.75mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 155µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8110pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta), 14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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