NTGD4169FT1G
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| Numero parte | NTGD4169FT1G |
| PNEDA Part # | NTGD4169FT1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.564 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTGD4169FT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTGD4169FT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTGD4169FT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 |
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