NTGD4161PT1G
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| Numero parte | NTGD4161PT1G |
| PNEDA Part # | NTGD4161PT1G |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.978 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTGD4161PT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTGD4161PT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NTGD4161PT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 281pF @ 15V |
| Potenza - Max | 600mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
