NSVMUN5237T1G
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| Numero parte | NSVMUN5237T1G |
| PNEDA Part # | NSVMUN5237T1G |
| Descrizione | TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.056 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSVMUN5237T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSVMUN5237T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
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NSVMUN5237T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Resistenza - Base (R1) | - |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione 230MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3 |
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