NSVMUN5212DW1T1G
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| Numero parte | NSVMUN5212DW1T1G |
| PNEDA Part # | NSVMUN5212DW1T1G |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 229.860 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSVMUN5212DW1T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSVMUN5212DW1T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSVMUN5212DW1T1G, NSVMUN5212DW1T1G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 151,99 KB)
  
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NSVMUN5212DW1T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 22kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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