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NSVMUN5131T1G

NSVMUN5131T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVMUN5131T1G
PNEDA Part # NSVMUN5131T1G
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.582
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NSVMUN5131T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVMUN5131T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
NSVMUN5131T1G, NSVMUN5131T1G Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 170,74 KB)
PDFMMUN2131LT1G Datasheet Copertura
MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 2 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 3 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 4 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 5 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 6 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 7 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 8 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 9 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 10 MMUN2131LT1G Datasheet Pagina 11

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NSVMUN5131T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)2.2 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)2.2 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce8 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max202mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-3 (SOT323)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523F

DTC114TE-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

UNR42100RA

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SSIP

Pacchetto dispositivo fornitore

NS-B1

DRA2523E0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G3-B

DDTA142JU-7-F

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

470 Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

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