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NSVEMT1DXV6T5G

NSVEMT1DXV6T5G

Solo per riferimento

Numero parte NSVEMT1DXV6T5G
PNEDA Part # NSVEMT1DXV6T5G
Descrizione TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.460
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NSVEMT1DXV6T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVEMT1DXV6T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
NSVEMT1DXV6T5G, NSVEMT1DXV6T5G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 54,48 KB)
PDFEMT1DXV6T5 Datasheet Copertura
EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 2 EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 3 EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 4

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NSVEMT1DXV6T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500pA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione140MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

8 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Potenza - Max

2.25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

18-DIP

JANTX2N2920L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

PBSS4112PAN,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

510mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

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Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

7 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-TSSOP

MAT14ARZ-RL

Analog Devices

Produttore

Analog Devices Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

4 NPN (Quad) Matched Pairs

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

60mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

3nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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