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NSVDTC143ZET1G

NSVDTC143ZET1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVDTC143ZET1G
PNEDA Part # NSVDTC143ZET1G
Descrizione TRANS NPN 50V BIPOLAR SC75-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.794
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NSVDTC143ZET1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVDTC143ZET1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
NSVDTC143ZET1G, NSVDTC143ZET1G Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 391,33 KB)
PDFNSBC143ZF3T5G Datasheet Copertura
NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 2 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 3 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 4 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 5 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 6 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 7 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 8 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 9 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 10 NSBC143ZF3T5G Datasheet Pagina 11

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NSVDTC143ZET1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-75, SOT-416

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BCR 169T E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

NSBA123EF3T5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

254mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-1123

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

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