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NSVBAS21HT3G

NSVBAS21HT3G

Solo per riferimento

Numero parte NSVBAS21HT3G
PNEDA Part # NSVBAS21HT3G
Descrizione DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVBAS21HT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVBAS21HT3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NSVBAS21HT3G, NSVBAS21HT3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 168,11 KB)
PDFNSVBAS21HT3G Datasheet Copertura
NSVBAS21HT3G Datasheet Pagina 2 NSVBAS21HT3G Datasheet Pagina 3 NSVBAS21HT3G Datasheet Pagina 4 NSVBAS21HT3G Datasheet Pagina 5

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NSVBAS21HT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)250V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 200mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 200V
Capacità @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

62-0239PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SS5P4HM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

FES16JT-9HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

145pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

STTH2R06

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

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