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NSS60600MZ4T1G

NSS60600MZ4T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSS60600MZ4T1G
PNEDA Part # NSS60600MZ4T1G
Descrizione TRANS PNP 60V 6A SOT-223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 153.372
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NSS60600MZ4T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSS60600MZ4T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSS60600MZ4T1G, NSS60600MZ4T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 69,42 KB)
PDFNSV60600MZ4T1G Datasheet Copertura
NSV60600MZ4T1G Datasheet Pagina 2 NSV60600MZ4T1G Datasheet Pagina 3 NSV60600MZ4T1G Datasheet Pagina 4 NSV60600MZ4T1G Datasheet Pagina 5 NSV60600MZ4T1G Datasheet Pagina 6

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NSS60600MZ4T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic350mV @ 600mA, 6A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1A, 2V
Potenza - Max800mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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BC638TFR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JANTX2N6650

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/527

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100µA, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

Potenza - Max

5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AA (TO-3)

JANTXV2N3419S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/393

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

JANTX2N6250T1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/510

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

275V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.25A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 10A, 3V

Potenza - Max

6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

2SC6095-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

1.3W

Frequenza - Transizione

350MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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