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NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSS35200MR6T1G
PNEDA Part # NSS35200MR6T1G
Descrizione TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.124
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSS35200MR6T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSS35200MR6T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSS35200MR6T1G, NSS35200MR6T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 114,81 KB)
PDFNSS35200MR6T1G Datasheet Copertura
NSS35200MR6T1G Datasheet Pagina 2 NSS35200MR6T1G Datasheet Pagina 3 NSS35200MR6T1G Datasheet Pagina 4 NSS35200MR6T1G Datasheet Pagina 5 NSS35200MR6T1G Datasheet Pagina 6

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NSS35200MR6T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)35V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic310mV @ 20mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1.5A, 1.5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

375V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 62.5mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 300mA, 5V

Potenza - Max

1.1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PW-MOLD2

KSA3010RTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

55 @ 1A, 5V

Potenza - Max

60W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

BCW61CT116

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

JANTX2N3506AL

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/349

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

BD536J

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 2V

Potenza - Max

50W

Frequenza - Transizione

12MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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