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NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSS20201MR6T1G
PNEDA Part # NSS20201MR6T1G
Descrizione TRANS NPN 20V 2A TSOP-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSS20201MR6T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSS20201MR6T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSS20201MR6T1G, NSS20201MR6T1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 47,57 KB)
PDFNSS20201MR6T1G Datasheet Copertura
NSS20201MR6T1G Datasheet Pagina 2 NSS20201MR6T1G Datasheet Pagina 3 NSS20201MR6T1G Datasheet Pagina 4

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NSS20201MR6T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 1A, 5V
Potenza - Max460mW
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Potenza - Max

3.2W

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerDI™ 5

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 5

2N6076

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3; MPAK

2N3442

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

JAN2N6052

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/501

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3 (TO-204AA)

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