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NSS12601CF8T1G

NSS12601CF8T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSS12601CF8T1G
PNEDA Part # NSS12601CF8T1G
Descrizione TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.942
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSS12601CF8T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSS12601CF8T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSS12601CF8T1G, NSS12601CF8T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 83,2 KB)
PDFNSS12601CF8T1G Datasheet Copertura
NSS12601CF8T1G Datasheet Pagina 2 NSS12601CF8T1G Datasheet Pagina 3 NSS12601CF8T1G Datasheet Pagina 4 NSS12601CF8T1G Datasheet Pagina 5 NSS12601CF8T1G Datasheet Pagina 6

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NSS12601CF8T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic120mV @ 400mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 1A, 2V
Potenza - Max830mW
Frequenza - Transizione140MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 3V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 10V

Potenza - Max

750mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

180V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 80mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

Potenza - Max

37W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

185V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 3mA, 30mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 75mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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