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NSM80101MT1G

NSM80101MT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSM80101MT1G
PNEDA Part # NSM80101MT1G
Descrizione TRANS NPN 80V 0.5A SC74-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSM80101MT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSM80101MT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSM80101MT1G, NSM80101MT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 111,89 KB)
PDFNSM80101MT1G Datasheet Copertura
NSM80101MT1G Datasheet Pagina 2 NSM80101MT1G Datasheet Pagina 3 NSM80101MT1G Datasheet Pagina 4 NSM80101MT1G Datasheet Pagina 5 NSM80101MT1G Datasheet Pagina 6

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NSM80101MT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN + Diode (Isolated)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 1V
Potenza - Max400mW
Frequenza - Transizione150MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-74

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Produttore

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

2.2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

MJD253-001

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

Potenza - Max

1.4W

Frequenza - Transizione

40MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

750mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

125mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Surface Mount

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