NSBA115TDP6T5G
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| Numero parte | NSBA115TDP6T5G |
| PNEDA Part # | NSBA115TDP6T5G |
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSBA115TDP6T5G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSBA115TDP6T5G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSBA115TDP6T5G, NSBA115TDP6T5G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 122,79 KB)
  
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NSBA115TDP6T5G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 100kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 408mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-963 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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