NSBA114EDXV6T1G
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| Numero parte | NSBA114EDXV6T1G |
| PNEDA Part # | NSBA114EDXV6T1G |
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSBA114EDXV6T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSBA114EDXV6T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSBA114EDXV6T1G, NSBA114EDXV6T1G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 124,76 KB)
  
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NSBA114EDXV6T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 10kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 100MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 1.5A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V, 65V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA, 100nA Frequenza - Transizione 150MHz Potenza - Max 760mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 150MHz Potenza - Max 125mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-665 Pacchetto dispositivo fornitore SSMini5-F3 |
