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NRVHP8H200MFDWFT3G

NRVHP8H200MFDWFT3G

Solo per riferimento

Numero parte NRVHP8H200MFDWFT3G
PNEDA Part # NRVHP8H200MFDWFT3G
Descrizione DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.366
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Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NRVHP8H200MFDWFT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNRVHP8H200MFDWFT3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
NRVHP8H200MFDWFT3G, NRVHP8H200MFDWFT3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 108,44 KB)
PDFNRVHP8H200MFDWFT3G Datasheet Copertura
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NRVHP8H200MFDWFT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If910mV @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

140A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.5V @ 140A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SBL3060CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BAW56-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

70V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

6ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.5mA @ 70V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

MBR16100CTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

740mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 200A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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