NP80N055NDG-S18-AY
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| Numero parte | NP80N055NDG-S18-AY |
| PNEDA Part # | NP80N055NDG-S18-AY |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NP80N055NDG-S18-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NP80N055NDG-S18-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NP80N055NDG-S18-AY, NP80N055NDG-S18-AY Datasheet
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NP80N055NDG-S18-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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