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NP40N055KHE-E1-AY

NP40N055KHE-E1-AY

Solo per riferimento

Numero parte NP40N055KHE-E1-AY
PNEDA Part # NP40N055KHE-E1-AY
Descrizione TRANSISTOR
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.856
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Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NP40N055KHE-E1-AY Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNP40N055KHE-E1-AY
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NP40N055KHE-E1-AY, NP40N055KHE-E1-AY Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 291,54 KB)
PDFNP40N055KHE-E1-AY Datasheet Copertura
NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 2 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 3 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 4 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 5 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 6 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 7 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 8 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 9 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 10 NP40N055KHE-E1-AY Datasheet Pagina 11

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NP40N055KHE-E1-AY Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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PHB110NQ08T,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STL105NS3LLH7

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

105A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

77.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 35.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.96mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8180pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

481W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

AOB462L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC098N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 36µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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