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NP160N055TUK-E1-AY

NP160N055TUK-E1-AY

Solo per riferimento

Numero parte NP160N055TUK-E1-AY
PNEDA Part # NP160N055TUK-E1-AY
Descrizione MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NP160N055TUK-E1-AY Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNP160N055TUK-E1-AY
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NP160N055TUK-E1-AY, NP160N055TUK-E1-AY Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 271,93 KB)
PDFNP160N055TUK-E1-AY Datasheet Copertura
NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 2 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 3 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 4 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 5 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 6 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 7 NP160N055TUK-E1-AY Datasheet Pagina 8

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NP160N055TUK-E1-AY Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs189nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11250pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263-7
Pacchetto / CustodiaTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

312nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

450W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

3LP01C-TB-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NVMFS5C442NLT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 127A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SIDR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64.6A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8DC

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4370pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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