NP109N055PUJ-E1B-AY
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| Numero parte | NP109N055PUJ-E1B-AY |
| PNEDA Part # | NP109N055PUJ-E1B-AY |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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NP109N055PUJ-E1B-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NP109N055PUJ-E1B-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NP109N055PUJ-E1B-AY, NP109N055PUJ-E1B-AY Datasheet
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NP109N055PUJ-E1B-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10350pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 220W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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