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NJW0302G

NJW0302G

Solo per riferimento

Numero parte NJW0302G
PNEDA Part # NJW0302G
Descrizione TRANS PNP 250V 15A TO-3P
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 20.280
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Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NJW0302G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNJW0302G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NJW0302G, NJW0302G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 163,9 KB)
PDFNJW0281G Datasheet Copertura
NJW0281G Datasheet Pagina 2 NJW0281G Datasheet Pagina 3 NJW0281G Datasheet Pagina 4 NJW0281G Datasheet Pagina 5 NJW0281G Datasheet Pagina 6

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NJW0302G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 500mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 3A, 5V
Potenza - Max150W
Frequenza - Transizione30MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P-3L

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

LSTM

2SC5707-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 175mA, 3.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

330MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TP

2N5880

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TIP50TU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

10MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

MMSTA42-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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