NJVMJD2955T4G
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| Numero parte | NJVMJD2955T4G |
| PNEDA Part # | NJVMJD2955T4G |
| Descrizione | TRANS PNP 60V 10A DPAK-4 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.694 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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NJVMJD2955T4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NJVMJD2955T4G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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NJVMJD2955T4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 10A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 60V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 50µA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Potenza - Max | 1.75W |
| Frequenza - Transizione | 2MHz |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max - Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 100µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 2V Potenza - Max 25W Frequenza - Transizione 3MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-225AA, TO-126-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-126-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 120MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1.5A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Potenza - Max 1.25W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-225AA, TO-126-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-126-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 300V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Corrente - Taglio collettore (Max) 250nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 30mA, 10V Potenza - Max 1W Frequenza - Transizione 50MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4 |
