NGTD23T120F2WP
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| Numero parte | NGTD23T120F2WP |
| PNEDA Part # | NGTD23T120F2WP |
| Descrizione | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTD23T120F2WP Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTD23T120F2WP |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
NGTD23T120F2WP, NGTD23T120F2WP Datasheet
(Totale pagine: 3, Dimensioni: 89,35 KB)
  
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NGTD23T120F2WP Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 161A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A Potenza - Max 416W Switching Energy 534µJ (on), 466µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 28nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/112ns Condizione di test 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
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