NGTD23T120F2SWK
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| Numero parte | NGTD23T120F2SWK |
| PNEDA Part # | NGTD23T120F2SWK |
| Descrizione | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.604 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTD23T120F2SWK Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTD23T120F2SWK |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
NGTD23T120F2SWK, NGTD23T120F2SWK Datasheet
(Totale pagine: 3, Dimensioni: 89,35 KB)
  
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NGTD23T120F2SWK Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 16A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A Potenza - Max 60W Switching Energy 250µJ (on), 640µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 43ns/240ns Condizione di test 480V, 9A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 37ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3 |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Potenza - Max 150W Switching Energy 1.5mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 100ns/600ns Condizione di test 480V, 20A, 82Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXGH) |
Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Potenza - Max 65W Switching Energy 55µJ (on), 85µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 19nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/72ns Condizione di test 390V, 5A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
