NGTD13T65F2WP
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Numero parte | NGTD13T65F2WP |
PNEDA Part # | NGTD13T65F2WP |
Descrizione | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.410 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTD13T65F2WP Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NGTD13T65F2WP |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
Datasheet |
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NGTD13T65F2WP Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | - |
Switching Energy | - |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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