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NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Solo per riferimento

Numero parte NGTB50N65FL2WAG
PNEDA Part # NGTB50N65FL2WAG
Descrizione IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.624
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGTB50N65FL2WAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTB50N65FL2WAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTB50N65FL2WAG, NGTB50N65FL2WAG Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 157,16 KB)
PDFNGTB50N65FL2WAG Datasheet Copertura
NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 2 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 3 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 4 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 5 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 6 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 7 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 8 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 9 NGTB50N65FL2WAG Datasheet Pagina 10

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NGTB50N65FL2WAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTField Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)160A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Potenza - Max417W
Switching Energy420µJ (on), 550µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge215nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/123ns
Condizione di test400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)94ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-4L

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STGP30H60DFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

383µJ (on), 293µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

149nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/146ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

53ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

IRG4BC30FD-SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/230ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IXGF36N300

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

36A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 100A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

136nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

IRG7CH81K10EF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APT15GP60KG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

56A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

130µJ (on), 121µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8ns/29ns

Condizione di test

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 [K]

Venduto di recente

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