NGTB50N120FL2WG
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| Numero parte | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 1200V 100A 535W TO247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 851 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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NGTB50N120FL2WG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTB50N120FL2WG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
NGTB50N120FL2WG, NGTB50N120FL2WG Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 106,47 KB)
  
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NGTB50N120FL2WG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 535W |
| Switching Energy | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 311nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 118ns/282ns |
| Condizione di test | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 256ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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