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NGB8206N

NGB8206N

Solo per riferimento

Numero parte NGB8206N
PNEDA Part # NGB8206N
Descrizione IGBT 390V 20A 150W D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGB8206N Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGB8206N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGB8206N, NGB8206N Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 118,71 KB)
PDFNGB8206NTF4G Datasheet Copertura
NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 2 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 3 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 4 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 5 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 6 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 7 NGB8206NTF4G Datasheet Pagina 8

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NGB8206N Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)390V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
Potenza - Max150W
Switching Energy-
Tipo di ingressoLogic
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/5µs
Condizione di test300V, 9A, 1kOhm, 5V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

STMicroelectronics

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-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

414nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/280ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

85ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

IXSR50N60B

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

950µJ (on), 760µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

53ns/110ns

Condizione di test

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

NGTG35N65FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

840µJ (on), 280µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

72ns/132ns

Condizione di test

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

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Serie

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Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

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Gate Charge

119nC

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Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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