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NE85639R-T1

NE85639R-T1

Solo per riferimento

Numero parte NE85639R-T1
PNEDA Part # NE85639R-T1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85639R-T1 Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85639R-T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85639R-T1, NE85639R-T1 Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 827,19 KB)
PDFNE85633L-A Datasheet Copertura
NE85633L-A Datasheet Pagina 2 NE85633L-A Datasheet Pagina 3 NE85633L-A Datasheet Pagina 4 NE85633L-A Datasheet Pagina 5 NE85633L-A Datasheet Pagina 6 NE85633L-A Datasheet Pagina 7 NE85633L-A Datasheet Pagina 8 NE85633L-A Datasheet Pagina 9 NE85633L-A Datasheet Pagina 10 NE85633L-A Datasheet Pagina 11

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NE85639R-T1 Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Guadagno13.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-143R
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143R

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.1dB ~ 8.9dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.8A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M222

Pacchetto dispositivo fornitore

M222

MS2472

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.6dB

Potenza - Max

1350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

1000MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.8dB

Potenza - Max

5.3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

11.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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