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NE85633-T1B

NE85633-T1B

Solo per riferimento

Numero parte NE85633-T1B
PNEDA Part # NE85633-T1B
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.482
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85633-T1B Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85633-T1B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85633-T1B, NE85633-T1B Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.728,5 KB)
PDFNE85633-T1B Datasheet Copertura
NE85633-T1B Datasheet Pagina 2 NE85633-T1B Datasheet Pagina 3 NE85633-T1B Datasheet Pagina 4 NE85633-T1B Datasheet Pagina 5 NE85633-T1B Datasheet Pagina 6 NE85633-T1B Datasheet Pagina 7 NE85633-T1B Datasheet Pagina 8 NE85633-T1B Datasheet Pagina 9

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NE85633-T1B Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC5536A-TL-H

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

1.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 150MHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-81

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SSFP

SD1013-03

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

13W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

AT-42035G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (35 micro-X)

Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

64042

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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