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NE85619-T1-A

NE85619-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85619-T1-A
PNEDA Part # NE85619-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.686
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85619-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85619-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85619-T1-A, NE85619-T1-A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 5.084,05 KB)
PDF2SC5006-A Datasheet Copertura
2SC5006-A Datasheet Pagina 2 2SC5006-A Datasheet Pagina 3 2SC5006-A Datasheet Pagina 4 2SC5006-A Datasheet Pagina 5 2SC5006-A Datasheet Pagina 6 2SC5006-A Datasheet Pagina 7 2SC5006-A Datasheet Pagina 8 2SC5006-A Datasheet Pagina 9

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NE85619-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 8dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LT

Pacchetto dispositivo fornitore

55LT

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

3.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-422A

Pacchetto dispositivo fornitore

CDFM2

1035MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 10.5dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

ZTX325STOB

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Guadagno

53dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3, Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

2N5109

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB

Potenza - Max

2.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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