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NE85618-A

NE85618-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85618-A
PNEDA Part # NE85618-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.066
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85618-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85618-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85618-A, NE85618-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.095,94 KB)
PDF2SC5011-A Datasheet Copertura
2SC5011-A Datasheet Pagina 2 2SC5011-A Datasheet Pagina 3 2SC5011-A Datasheet Pagina 4 2SC5011-A Datasheet Pagina 5 2SC5011-A Datasheet Pagina 6

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NE85618-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione6.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno13dB
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

12.4dB ~ 17.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

BFP460E6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.8V

Frequenza - Transizione

22GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

Guadagno

12.5dB ~ 26.5dB

Potenza - Max

230mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

MCH4009-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

120mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MCPH

MS2211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

48V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.3dB

Potenza - Max

25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M222

Pacchetto dispositivo fornitore

M222

SD1275

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M135

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