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NE68830-T1-A

NE68830-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68830-T1-A
PNEDA Part # NE68830-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT323
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.130
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68830-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68830-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68830-T1-A, NE68830-T1-A Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datasheet Copertura
NE68833-T1-A Datasheet Pagina 2 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 3 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 4 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 5 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 6 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 7 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 8 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 9 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 10 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 11

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NE68830-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

SD1057-01H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

*

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

MSC1090M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.52A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M220

Pacchetto dispositivo fornitore

M220

MRF559T

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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