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NE681M13-A

NE681M13-A

Solo per riferimento

Numero parte NE681M13-A
PNEDA Part # NE681M13-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 7GHZ M13
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE681M13-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE681M13-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE681M13-A, NE681M13-A Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 148,7 KB)
PDFNE681M13-A Datasheet Copertura
NE681M13-A Datasheet Pagina 2 NE681M13-A Datasheet Pagina 3

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NE681M13-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max140mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-3
Pacchetto dispositivo fornitoreM13

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BLT81,115

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9.5V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MS1015D

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

3.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-422A

Pacchetto dispositivo fornitore

CDFM2

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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