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NE58219-T1-A

NE58219-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE58219-T1-A
PNEDA Part # NE58219-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 5GHZ 3SMINMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NE58219-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE58219-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE58219-T1-A, NE58219-T1-A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.998,17 KB)
PDFNE58219-T1-A Datasheet Copertura
NE58219-T1-A Datasheet Pagina 2 NE58219-T1-A Datasheet Pagina 3 NE58219-T1-A Datasheet Pagina 4 NE58219-T1-A Datasheet Pagina 5 NE58219-T1-A Datasheet Pagina 6 NE58219-T1-A Datasheet Pagina 7

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NE58219-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60mA
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (19)

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

20GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB

Potenza - Max

735mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC5066-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

BFR193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

NE97733-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

10A015

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

24V

Frequenza - Transizione

2.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

6W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

750mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

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