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NDS8958

NDS8958

Solo per riferimento

Numero parte NDS8958
PNEDA Part # NDS8958
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDS8958 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDS8958
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NDS8958, NDS8958 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 222,6 KB)
PDFNDS8958 Datasheet Copertura
NDS8958 Datasheet Pagina 2 NDS8958 Datasheet Pagina 3 NDS8958 Datasheet Pagina 4 NDS8958 Datasheet Pagina 5 NDS8958 Datasheet Pagina 6 NDS8958 Datasheet Pagina 7 NDS8958 Datasheet Pagina 8 NDS8958 Datasheet Pagina 9 NDS8958 Datasheet Pagina 10

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NDS8958 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A, 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 15V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3643pF @ 25V

Potenza - Max

5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SO

SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 15V

Potenza - Max

29W, 66W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair® (6x5)

BUK9K13-60EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2953pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

IRFH4251DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A, 188A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

Potenza - Max

31W, 63W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PQFN (5x6)

FDS6900AS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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