NDBA180N10BT4H
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Numero parte | NDBA180N10BT4H |
PNEDA Part # | NDBA180N10BT4H |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 89 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NDBA180N10BT4H Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NDBA180N10BT4H |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
NDBA180N10BT4H, NDBA180N10BT4H Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 696,45 KB)
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NDBA180N10BT4H Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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