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NCV8440STT1G

NCV8440STT1G

Solo per riferimento

Numero parte NCV8440STT1G
PNEDA Part # NCV8440STT1G
Descrizione MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NCV8440STT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCV8440STT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NCV8440STT1G, NCV8440STT1G Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 223,27 KB)
PDFNCV8440STT3G Datasheet Copertura
NCV8440STT3G Datasheet Pagina 2 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 3 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 4 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 5 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 6 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 7 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 8 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 9 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 10 NCV8440STT3G Datasheet Pagina 11

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NCV8440STT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)59V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds155pF @ 35V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.69W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

51.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1477pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MGSF2N02ELT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI7425DN-T1-E3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 12.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

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Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2308pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

231W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 50V

Funzione FET

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Dissipazione di potenza (max)

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