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NCD57001DWR2G

NCD57001DWR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCD57001DWR2G
PNEDA Part # NCD57001DWR2G
Descrizione GALVANIC ISOLATED HIGH CU
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.042
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Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCD57001DWR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCD57001DWR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCD57001DWR2G, NCD57001DWR2G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 224,42 KB)
PDFNCD57001DWR2G Datasheet Copertura
NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 2 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 3 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 4 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 5 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 6 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 7 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 8 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 9 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 10 NCD57001DWR2G Datasheet Pagina 11

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NCD57001DWR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT
Tensione - Alimentazione24V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)7.8A, 7.1A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 15ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

17V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

400mA, 650mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SO

MIC4422ABM

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 24ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ICL7667CPAZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

L6569D013TR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 16.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

170mA, 270mA

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IXDI409CI

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Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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