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NCD57000DWR2G

NCD57000DWR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCD57000DWR2G
PNEDA Part # NCD57000DWR2G
Descrizione GALVANIC ISOLATED HIGH CU
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.758
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCD57000DWR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCD57000DWR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCD57000DWR2G, NCD57000DWR2G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 225,06 KB)
PDFNCD57000DWR2G Datasheet Copertura
NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 2 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 3 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 4 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 5 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 6 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 7 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 8 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 9 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 10 NCD57000DWR2G Datasheet Pagina 11

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NCD57000DWR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT
Tensione - Alimentazione24V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)7.8A, 7.1A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 15ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MIC44F19YMME-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

1.607V, 1.615V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

FAN7081CM_F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX4427EPA

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

TLE7181EMXUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 34V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

55V

Tempo di salita / discesa (tipico)

250ns, 200ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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