NAND512W3A2CN6E
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| Numero parte | NAND512W3A2CN6E |
| PNEDA Part # | NAND512W3A2CN6E |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.340 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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NAND512W3A2CN6E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NAND512W3A2CN6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
NAND512W3A2CN6E, NAND512W3A2CN6E Datasheet
(Totale pagine: 55, Dimensioni: 1.377,34 KB)
  
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NAND512W3A2CN6E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 50ns |
| Tempo di accesso | 50ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 32-PLCC (13.97x11.43) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Quad Port, Synchronous Dimensione della memoria 1.125Mb (64K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.2ns Tensione - Alimentazione 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 256-CABGA (17x17) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 64-TQFP (14x14) |
