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NAND256W3A0AN6F

NAND256W3A0AN6F

Solo per riferimento

Numero parte NAND256W3A0AN6F
PNEDA Part # NAND256W3A0AN6F
Descrizione IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.976
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NAND256W3A0AN6F Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNAND256W3A0AN6F
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
NAND256W3A0AN6F, NAND256W3A0AN6F Datasheet (Totale pagine: 56, Dimensioni: 882,74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F Datasheet Copertura
NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 2 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 3 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 4 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 5 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 6 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 7 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 8 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 9 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 10 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 11

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NAND256W3A0AN6F Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50ns
Tempo di accesso50ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

S29CL032J0MFAI030

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

56MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-FBGA (13x11)

STK17TA8-RF25

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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