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NAND128W3AABN6F TR

NAND128W3AABN6F TR

Solo per riferimento

Numero parte NAND128W3AABN6F TR
PNEDA Part # NAND128W3AABN6F-TR
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
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NAND128W3AABN6F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNAND128W3AABN6F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
NAND128W3AABN6F TR, NAND128W3AABN6F TR Datasheet (Totale pagine: 61, Dimensioni: 1.230,83 KB)
PDFNAND128W3AABN6F TR Datasheet Copertura
NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 2 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 3 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 4 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 5 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 6 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 7 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 8 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 9 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 10 NAND128W3AABN6F TR Datasheet Pagina 11

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NAND128W3AABN6F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50ns
Tempo di accesso50ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

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Produttore

Macronix

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

AT27C020-70TI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

7008L25PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MX66L1G45GMI-08G

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29AL016J55BFIR20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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