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N25Q512A13GF840E

N25Q512A13GF840E

Solo per riferimento

Numero parte N25Q512A13GF840E
PNEDA Part # N25Q512A13GF840E
Descrizione IC FLASH 512M SPI 108MHZ 8VDFPN
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.940
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

N25Q512A13GF840E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteN25Q512A13GF840E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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N25Q512A13GF840E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (128M x 4)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

24AA08-I/S16K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

MT53B2DANW-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SST39VF1601C-70-4I-EKE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MTFC32GAKAEDQ-AAT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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