MX25L3233FZBI-08Q
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| Numero parte | MX25L3233FZBI-08Q |
| PNEDA Part # | MX25L3233FZBI-08Q |
| Descrizione | IC FLASH SERIAL NOR 32MBIT 8USON |
| Produttore | Macronix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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MX25L3233FZBI-08Q Risorse
| Brand | Macronix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MX25L3233FZBI-08Q |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MX25L3233FZBI-08Q Specifiche
| Produttore | Macronix |
| Serie | MXSMIO™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 32Mb (8M x 4) |
| Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
| Frequenza di clock | 133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 50µs, 1.2ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.65V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (4x3) |
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Produttore Macronix Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 8 x 2) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 350ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-FBGA (9x13) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, MoBL Dimensione della memoria 128Kb (8K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 100-VFBGA (6x6) |
Produttore Winbond Electronics Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-TFBGA (8x8) |
