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MX25L12873FZNI-10G

MX25L12873FZNI-10G

Solo per riferimento

Numero parte MX25L12873FZNI-10G
PNEDA Part # MX25L12873FZNI-10G
Descrizione IC FLASH 128MBIT
Produttore Macronix
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Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX25L12873FZNI-10G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX25L12873FZNI-10G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX25L12873FZNI-10G, MX25L12873FZNI-10G Datasheet (Totale pagine: 98, Dimensioni: 1.223,98 KB)
PDFMX25L12873FMI-10G Datasheet Copertura
MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 2 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 3 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 4 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 5 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 6 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 7 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 8 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 9 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 10 MX25L12873FMI-10G Datasheet Pagina 11

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MX25L12873FZNI-10G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMXSMIO™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina30µs, 1.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

84-FLATPAK

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x11.5)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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